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                  可移动的源法兰和上下分体式冷屏、 可配备12个源口、 冷屏可在1个工作日内更换、 可用于外延生长GaAs, GaSb, InP, CdTe, HgCdTe, ZnO and GaN材料、 适用于用于4”, 3”,2”衬底尺寸
                  R450是紧凑型MBE系统,用于最大3英寸衬底的外延生长
                  ?可移动的源法兰和上下分体式冷屏 ?可提供两套冷屏 ?冷屏可在2个工作日内更换 ?可用于外延生长GaAs, GaSb, InP, GaN材料 ?适用于用于4×4”, 7×3”, 1 x 200 mm, 1×6” and 14×2”衬底尺寸
                  可根据客户的特殊需求提供定制系统。
                  提供给各种型号的泄流源,裂解源和其它源。
                  TheIMCseriesaddressesthelackofmodernequipmentfornewtypeofproductionimplantsandadvancedresearch.??TheIMCtoolhasbeendesignedtobeeasytouse,??easytomaintain,andwithhighreliability.Offers×?Upto4activegasli
                  >?注入离子能量200KeV或400KeV双电荷注入可达到800KeV三电荷注入可达到1200KeV>?IHC离子源>?扩大的注入离子装载能力????可同时配有4个2.2L气罐????可配有4路惰性气路>?注入离子的原子质量可达到218AMU>?同时具备所有IMC的特点
                  Plasmaimmersionionimplantationisaversatileprocesstechnologywithwideapplicationsinmicroelectronicsprocessing&materialsengineering.Offers×?Simultaneousimplantationofthefullwafer×?Ultralowenergy(downto30
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