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                  PULSION 等离子浸没式等离子注入设备

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                  功能概述
                  技术指标
                  安装条件

                  技术特色

                  ◆超低能量、超高剂量:能量低至20eV(Option)、剂量1E14-1E18 at/cm3

                  ◆占地面积小,节省空间:占地面积比普通的线束离子注入节约50%

                  ◆易于工艺整合:兼容标准的PR剥离,可靠的计量控制,沉积和刻蚀控制,

                  ◆无能量污染

                  ◆更灵活:适用范围广,从小样片到300mm的晶圆, 同时适用于3D结构样片

                   

                  应用举例

                  ◆S/D 或 多晶硅掺杂(DRAM、FLASH)

                  ◆3D掺杂:如FINFET、沟槽

                  ◆大功率器件的背接触掺杂

                  ◆CMOS图像传感器、光电二极管、UV探测器

                  ◆太阳能电池:可提高电池的转换效率

                  ◆材料的表面处理:如增强材料表面的硬度、附着力、抗腐蚀及耐磨性等

                  ◆材料改性:如硅纳米晶合成、渗氮、氢化

                  未找到相应参数组,请于后台属性模板中添加
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