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                  P600科研型分子束外延系统

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                  功能概述
                  技术指标
                  安装条件

                  关键指标:

                  ◆可移动的源法兰和上下分体式冷屏

                  ◆可配备12个源口

                  ◆冷屏可在1个工作日内更换

                  ◆可用于外延生长GaAs, GaSb, InP, CdTe, HgCdTe, ZnO and GaN材料

                  ◆适用于用于4”, 3”,2”衬底尺寸

                   

                  介绍:

                  P600科研型MBE配有垂直生长室,生长室有12个泄流源或者其它源的接口。

                  P600型MBE可配有手动线性晶片传递系统,也可配有全自动的中心分配室(CDC)实现全自动的晶片传递。

                  P600型MBE生长室配有可移动的源法兰。该设计把生长室分成上下两部分,可彻底的清理冷屏上的沉积物。生长室的冷屏具有非常大的表面积和容积,确保在生长的过程中能够快速从砷源切换到磷源。

                  未找到相应参数组,请于后台属性模板中添加
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